Распределение примесей в кремнии

Каждое вещество может находится в состоянии которое характеризуется содержанием примеси в нем ниже некоторого определенного предела. Предел определяется различными условиями связанными со свойствами, областью применения веществ. Для полупроводниковых материалов достижения собственных свойств или близких к ним является тем необходимым пределом до которого материалы должны очищаться. При обосновании необходимой очистки нужно руководствоваться и экономической целесообразности очистки.

Для очистки полупроводниковых материалов в технологии микроэлектронных устройств используется метод зонной плавки (перекристаллизация). В некоторых случаях в технологии полупроводниковых материалов выращивают монокристаллы методом зонной плавки. Достоинством метода является совмещение процесса глубокой очистки полупроводника с последующим выращиванием его монокристалла. В технологии разлагающихся полупроводниковых соединений применение этого метода позволяет совмещать в одном технологическом цикле сразу три операции: синтез, очистку синтезированного соединения и выращивание его монокристалла.

Для введения в полупроводник примеси используется процесс диффузии. Для изготовления p-n переходов используется химическая диффузия примесных (растворимых) атомов, которые вводятся в кристаллическую решетку для изменения ее электрофизических свойств. Кроме того диффузия используется для перераспределения примеси в полупроводнике.

    Дополнительные материалы

    НЛО и формы сознания
    НЛО несомненно представляют собой проблему для человечества, проблему сложную, как в плане ее познания, так и в чисто практическом плане. В обычной форме сознания (бодрствование, физическое сознание) мы осознаем мир с определенными дово ...

    Эффект автодинного детектирования
    В связи с развитием современных технологий, требующих непрерывного контроля за многими параметрами технологического процесса, состоянием оборудования и параметрами материалов и сред становится всё более актуальной задача создания неразруша ...

    Разработка информационной системы интеллектуального здания на примере музея-усадьбы Н.Е. Жуковского
    Работа состоит из четырех разделов. В первом рассматривается концепция и определение интеллектуального здания. Во втором проводится анализ различных систем управления и применяемых протоколов взаимодействия устройств. В третьем разделе при ...

    Разделы

    Электромагнитный импульс как оружие

    История вопроса и современное состояние знаний в области эми.

    Лабораторные стенды в учебном процессе

    Обзор и сравнительный анализ существующих стендов.

    Аспекты технического знания

    Технический объект и предмет технических наук.

    Сварка металлов плавлением

    Классификация электрической дуговой сварки.

    Распределение примесей в кремнии

    Описание процесса зонной плавки и ее математическая модель.



    Наука сегодня и вчера - www.anytechnic.ru