Интегральные микросхемы серии 500

В случае изменения сопротивления Rк2 - ситуация аналогична, из менение сопротивления Rо в большую сторону приводит к уменьшению то ка,протекающего по открытому транзистору,и уменьшению напряжения на базе эмиттерного повторителя, соответственно уменьшается выходное напряжение.

ОПИСАНИЕ ДИНАМИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ

Динамические параметры базового элемента зависят от сопротивле ния и емкости нагрузки. При емкости нагрузки, равной нулю, и увеличе нии сопротивления нагрузки,время фронта нарастания и спада сигнала, а также время переключения элемента - уменьшается. Это происходит из-за того, что уменьшается входная емкость и вместе с ней время переходно го процесса. Но при емкости нагрузки, отличной от нуля, характер пе реходных процессов изменяется. Время фронта Uвых(t+) при увеличении сопротивления нагрузки продолжает немного уменьшаться, а время фронта и время переключения Uвых(t-) начинает рости, и колебательный процесс на выходе Uвых(t+) становится более выраженным. Для уравнивания вре мени переключения с "1" в "0" и с "0" в "1", а также для уменьшения бросков напряжения на Uвых(t+) при переходных процессах выбирается Rн=100 Ом.

РАСЧЕТ СТАТИЧЕСКИХ И ДИНАМИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ

РАСЧЕТ СТАТИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ БАЗОВОГО ЭЛЕМЕНТА

Важнейшими характеристиками ИМС серии 500 являются входная,пере даточная и выходная характеристики.

ВХОДНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА

Входная характеристика используется для определения нагрузочной способности элементов при работе на аналогичные элементы или при под ключении их в качестве нагрузки к специальным элементам , а также для оценки помехозащищенности элементов. Входная характеристика представ ляет собой зависимость входного тока от входного напряжения.

На входной характеристике ЭСЛ элемента можно выделить четыре об ласти, соответствующие четырем возможным режимам работы входной цепи ИС: 1 - входной транзистор закрыт ; входной ток определяется сопро тивлением базового резистора,подключенного ко входу; 2 - происходит отпирание входного транзистора; нелинейный участок определяется воз растающим базовым током входного транзистора; 3 - входной транзистор открыт; входной ток незначительно увеличивается из-за увеличения эмиттерного тока ТП и увеличения тока через базовый резистор; 4 входной транзистор открыт до насыщения; базовый ток транзистора зна чительно увеличивается при повышении входного напряжения (режим нерабочий).

ПЕРЕДАТОЧНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА

Передаточная характеристика представляет собой зависимость вы ходного напряжения микросхем от входного напряжения при переключении схемы из одного состояния в другое. На передаточной характеристике можно выделить четыре области : 1 - область установившгося значения низкого выходного напряжения лог."1" для прямого и высокого напряжения лог."0" для инверсного выходов; 2-зона переключения из "1" в "0" для прямого и из "0" в "1" инверсного выходов ; 3 - область устано вившегося значения "0" для прямого и "1" для инверсного выходов ( в этой области характеристика имеет некоторый наклон, вследствие неидеальности генератора тока ТП ) ; 4 - область насыщения для инверсного плеча ТП.

Передаточная характеристика основного элемента может быть ис пользована для анализа выходных уровней напряжения в различных режи мах работы , оценки формирующих средств и помехозащищенности элемен тов , определения их совместной работы с другими логическими элемен тами или специальными элементами.

Перейти на страницу: 1 2 3

Дополнительные материалы

Некоторые научно-технические проблемы развития электромеханики малой мощности
Научно-технические проблемы, решением которых занимаются сотрудники лаборатории микромашин кафедры электромеханики и технологий электротехнических производств Чувашского государственного университета в сотрудничестве с предприятиями, можно ...

Усилители электрических сигналов
В современной технике широко используется принцип управления энергией, позволяющий при помощи затраты небольшого количества энергии управлять энергией, но во много раз большей. Форма как управляемой, так и управляющей энергии может быть лю ...

Эфир структура и ядерные силы
В работе предложена эфирная концепция строения материи на основе теории эфира. Это позволило адекватно и логически непротиворечиво объяснить многие физические явления. ...

Разделы

Электромагнитный импульс как оружие

История вопроса и современное состояние знаний в области эми.

Лабораторные стенды в учебном процессе

Обзор и сравнительный анализ существующих стендов.

Аспекты технического знания

Технический объект и предмет технических наук.

Сварка металлов плавлением

Классификация электрической дуговой сварки.

Распределение примесей в кремнии

Описание процесса зонной плавки и ее математическая модель.



Наука сегодня и вчера - www.anytechnic.ru