Конструирование ЭВС

Конструирование ЭВС

ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ

1. Назначение аппаратуры.

Данный блок относится к классу бортовой аппаратуры и предназначен для установки в управляемый снаряд. Функционально блок предназначен для свертки сигнала принимаемого бортовой РЛС.

2. Технические требования:

а) условия эксплуатации:

- температура среды tо=30 оC;

- давление p = 1.33 × 104 Па;

б) механические нагрузки:

- перегрузки в заданном диапазоне

f, Гц

10

30

50

100

500

1000

g

5

8

12

20

25

30

- удары u = 50 g;

в) требования по надежности:

- вероятность безотказной работы P(0.033) ³ 0.8.

3. Конструкционные требования:

а) элементная база - микросхемы серии К176 с КМДП логикой;

б) мощность в блоке P £ 27 Вт;

в) масса блока m £ 50 кг;

г) тип корпуса - корпус по ГОСТ 17045-71;

д) тип амортизатора АД -15;

е) условия охлаждения - естественная конвекция.

ПОДБОР ЭЛЕМЕНТНОЙ БАЗЫ

Поскольку проектируемый электронно-вычислительный блок является бортовой аппаратурой, то к нему предъявляются следующие требования:

высокая надежность;

высокая помехозащищенность;

малая потребляемая мощность;

Наиболее полно этим требованиям удовлетворяют интегральные микросхемы на дополняющих МДП (МОП) структурах - КМДП структуры.

Цифровые интегральные схемы на КМДП-транзисторах - наиболее перспективные. Мощность потребления в статическом режиме ЦИС составляет десятки нановатт, быстродействие - более 10 МГц. Среди ЦИС на МДП-транзисторах ЦИС на КМДП-транзисторах обладают наибольшей помехоустойчивостью: 40 .45 % от напряжения источника питания. Отличительная особенность ЦИС на КМДП-транзисторах - также высокая эффективность использования источника питания: перепад выходного напряжения элемента почти равен напряжению источника питания. Такие ЦИС не чувствительны к изменениям напряжения питания. В элементах на КМДП-транзисторах полярности и уровни входных и выходных напряжений совпадают, что позволяет использовать непосредственные связи между элементами. Кроме того, в статическом режиме их потребляемая мощность практически равна нулю.

Таким образом была выбрана серия микросхем К176 (тип логики: дополняющие МОП-структуры). Конкретно были выбраны две микросхемы:

К176ЛЕ5 - четыре элемента 2ИЛИ-НЕ;

К176ЛА7 - четыре элемента 2И-НЕ.

Параметр

К176ЛЕ5

К176ЛА7

Входной ток в состоянии “0”, Iвх0, мкА, не менее

-0.1

-0.1

Входной ток в состоянии “1”, Iвх1, мкА, не более

0.1

0.1

Выходное напряжение “0”, Uвых0, В, не более

0.3

0.3

Выходное напряжение “1”, Uвых1, В, не менее

8.2

8.2

Ток потребления в состоянии “0”, Iпот0, мкА, не более

0.3

0.3

Ток потребления в состоянии “1”, Iпот1, мкА, не более

0.3

0.3

Время задержки распространения сигнала при включении tзд р1,0, нс, не более

200

200

Время задержки распространения сигнала при включении tзд р0,1, нс, не более

200

200

Перейти на страницу: 1 2 3 4 5 6

Дополнительные материалы

Модель портального манипулятора
Данная работа посвящена построению и исследованию динамической модели портального манипулятора, описывающей переходные процессы в манипуляторе с шаговым приводом в момент его позиционирования. При построении были использованы эксперимента ...

Биологические ритмы здоровья
Все живые существа на Земле - от растений до высших млекопитающих - подчиняются суточным ритмам. У человека в зависимости от времени суток циклически меняются физиологическое состояние, интеллектуальные возможности и даже настроение. Учены ...

Об истории изобретения и распространения бумаги
«Бумага — продукт перетирания лохмотьев и тряпок, коль скоро сделана и отдана под печатный станок, превратившись в книгу или газету, приобретает беспримерное могущество, становится всемирным владыкой. Она изменяет наши идеи и нашу рел ...

Разделы

Электромагнитный импульс как оружие

История вопроса и современное состояние знаний в области эми.

Лабораторные стенды в учебном процессе

Обзор и сравнительный анализ существующих стендов.

Аспекты технического знания

Технический объект и предмет технических наук.

Сварка металлов плавлением

Классификация электрической дуговой сварки.

Распределение примесей в кремнии

Описание процесса зонной плавки и ее математическая модель.



Наука сегодня и вчера - www.anytechnic.ru