Конструирование ЭВС

К1 и К0 - модифицированные функции Бесселя, результат расчета которых представлен ниже:

Dtв - среднеобъемный перегрев воздуха в блоке:

QИСi - мощность, рассеиваемая i-й микросхемой, в нашем случае для всех одинаковая и равна 0.001 Вт;

SИСi - суммарная площадь поверхностей i-й микросхемs, в нашем случае для всех одинаковая и равна SИСi = 2 (с1 × с2 + с1 × с3 + с2 × с3) = 2 (19.5 × 6 + 19.5 × 4 + 6 × 4) = 438 мм2 = 0.000438 м2;

dзi - зазор между микросхемой и ПП, dзi = 0;

lзi - коэффициент теплопроводности материала, заполняющего этот зазор.

Подставляя численные значения в формулу получаем

5. Определяем температуру поверхности корпуса микросхемы

Такая температура удовлетворяет условиям эксплуатации микросхемы DТр = -45 +70 оС, и не требует дополнительной системы охлаждения.

РАСЧЕТ МАССЫ БЛОКА

Исходные данные для расчета:

Масса блока ИС

mис = 24 г = 0.024 кг

Плотность дюралюминия

rдр = 2800 кг/м3

Плотность стеклотекстолита

rСт = 1750 кг/м3

Толщина дюралюминия

hk = 1 мм = 0.001 м

Толщина печатной платы

hпп = 2 мм = 0.002 м

Количество печатных плат

nпп = 60

Количество ИС

nис = 25

РАСЧЕТ СОБСТЕННОЙ ЧАСТОТЫ ПП

Так как в нашей ПП используются однотипные микросхемы равномерно распределенные по поверхности ПП, то для определения собственной частоты колебаний ПП можно воспользоваться формулой для равномерно нагруженной пластины:

где a и b - длина и ширина пластины, a = 186 мм, b = 81 мм;

D - цилиндрическая жесткость;

E - модуль упругости, E = 3.2 × 10-10 Н/м;

h - толщина пластины, h = 2 мм;

n - коэффициент Пуассона, n = 0.279;

М - масса пластины с элементами, М = mпп + mис × 25 = 0.095 + 0.024 × 25 = 0.695 кг;

Ka - коэффициент, зависящий от способа закрепления сторон пластины;

k, a, b, g - коэффициенты приведенные в литературе [1].

Подставляя значения параметров в формулу рассчитываем значение собственной частоты:

РАСЧЕТ СХЕМЫ АМОРТИЗАЦИИ

Исходные данные

Вид носителя - управляемый снаряд

Масса блока m = 42.385 кг

f, Гц

10

30

50

100

500

1000

g

5

8

12

20

25

30

Перейти на страницу: 1 2 3 4 5 6 7

Дополнительные материалы

От технологии к технософии. Прогресс между верой и разочарованием
Идея прогресса, как действенного фактора общественного развития возникла в ХУП в., одновременно со становлением идеологии индустриальной цивилизации, подготовкой промышленной революции. Утверждению ее в таком статусе предшествовал феномен ...

Связь Российской Федерации
Связь Российской Федерации (СРФ) на качественно новом этапе исторического развития определяется новым геополитическим положением России,происходящими в стране зкономическими преобразованиями. Изменение статуса ЕАСС и образование на ее осно ...

Проектирование технологии дуговой сварки на основе модели формирования показателей свариваемости низколегированных сталей
В настоящее время в области свариваемости низколегированных сталей (НЛС) накоплен значительный теоретический и экспериментальный материал, однако обеспечение достаточной свариваемости НЛС по-прежнему является сложной технологической задач ...

Разделы

Электромагнитный импульс как оружие

История вопроса и современное состояние знаний в области эми.

Лабораторные стенды в учебном процессе

Обзор и сравнительный анализ существующих стендов.

Аспекты технического знания

Технический объект и предмет технических наук.

Сварка металлов плавлением

Классификация электрической дуговой сварки.

Распределение примесей в кремнии

Описание процесса зонной плавки и ее математическая модель.



Наука сегодня и вчера - www.anytechnic.ru