ЭЛТ с магнитной отклоняющей системой

Ток IКБК, текущий через коллекторный переход при обратном напряжении на этом переходе, измеряется в условиях короткого замыкания цепи эмиттер – база. Аналогично ток IЭБК – это ток в эмиттерном переходе при обратном напряжении на этом переходе и при условии, что цепь коллектор – база замкнута накоротко.

Коэффициенты передачи тока.

С учетом понятия обратного тока коллектора ток IК для активного режима работы следует представить как сумму двух составляющих: тока IКБО и части эмиттерного тока, который определяется потоком носителей, инжектированных в базу и дошедших до коллекторного перехода.

Следовательно,

IК = a IЭ + IКБО.

Величина

называется коэффициентом эмиттерного тока. Обычно a < 1. В инверсном режиме (коллекторный переход включен в прямом, а эмиттерный – в обратном направлении) ток эмиттера равен:

IЭ = a1IК + IЭБО.

Величина

называется инверсным коэффициентом передачи коллекторного тока. Как правило, a1 < a.

С помощью коэффициентов a и a1 можно установить связь между обратными токами:

IКБО = IКБК(1 – aa1);

IЭБО = IЭБК(1 – aa1);

В транзисторе, включенном по схеме с общим эмиттером, входным током служит ток базы IБ, а выходным, как и в схеме с ОБ, то коллектора IК. Для схемы ОЭ, широко применяемой в радиотехнических устройствах на транзисторах, используется коэффициент передачи базового тока b. Выражение для b можно получить, решая его относительно тока IК:

Запишем это выражение в виде

IК = b IБ + IКЭО.

Где

и

- обратный ток коллекторного перехода в схеме ОЭ при IБ = 0.

Выражение для коэффициента передачи базового тока b легко получить используя эти соотношения:

Статические параметры транзистора.

Статические параметры транзистора характеризуют свойства прибора в статическом режиме, т.е. в том случае, когда к его электродам подключены лишь источники постоянных напряжений.

Система статических параметров транзистора выбирается таким образом, чтобы с помощью минимального числа этих параметров можно было бы наиболее полно отобразить особенности статических характеристик транзистора в различных режимах. Можно выделить статические параметры режима отсечки, активного режима и режима насыщения. К статическим параметрам относятся также величины, отображающие характеристики в близи пробоя.

Статические параметры в активном режиме.

Статическим параметром для этого режима служит статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ:

Коэффициент h21Э является интегральным коэффициентом передачи базового тока b, однако, статический коэффициент определяет как пренебрегая током ІКБО, что вполне допустимо при условии, что ІБ ³ 20ІКБО.

В качестве статического параметра активного режима используется также статическая крутизна прямой передачи в схеме ОЭ:

Перейти на страницу: 1 2 3 4

Дополнительные материалы

Оптика Гамильтона — Якоби
Когда в 1830 г. ирландец Уильям Роуан Гамильтон (1805—1865) начал заниматься оптикой, волновая теория света еще не была общепринятой. Пуассон был еще последователем корпускулярной теории. Био, самый консервативный из великих физиков XIX ве ...

Напряженность поля радиотелецентров
Для решения вопросов проектирования и эксплуатации радиотелепередающих цетров и других радиотехнических систем необходимо рассчитывать напряженности поля радиоволн УКВ диапазона. На основе этизх расчетов устанавливаются санитарно-защитные ...

Российский опыт ранней подготовки кадров для науки подходы, формы, результаты
В настоящее время широко обсуждается вопрос привлечения молодежи в науку и закрепления в ней молодых кадров, разрабатываются концепции, предлагаются различные виды государственных мер. Но вопрос этот является только частью более общей проб ...

Разделы

Электромагнитный импульс как оружие

История вопроса и современное состояние знаний в области эми.

Лабораторные стенды в учебном процессе

Обзор и сравнительный анализ существующих стендов.

Аспекты технического знания

Технический объект и предмет технических наук.

Сварка металлов плавлением

Классификация электрической дуговой сварки.

Распределение примесей в кремнии

Описание процесса зонной плавки и ее математическая модель.



Наука сегодня и вчера - www.anytechnic.ru